iفین تک (ای فین تک - آی فین تک)

به گزارش iفین‌تک، سامسونگ اعلام کرد که تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری خود را آغاز کرده است. این شرکت کره‌ای با بهره‌گیری از فناوری GAA (Gate-All-Around) توانسته است بهبود چشمگیری در عملکرد پردازشی و کاهش مصرف انرژی ایجاد کند. این تراشه‌ها در مقایسه با فرایند ۵ نانومتری، تا ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی و ۲۳ درصد افزایش عملکرد خواهند داشت.

سامسونگ اولین شرکتی است که از معماری GAA در تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری استفاده می‌کند. این فناوری، جایگزین معماری FinFET شده و موجب افزایش بهره‌وری ترانزیستورها و بهبود هدایت جریان الکتریکی می‌شود. نتیجه این تغییرات، افزایش سرعت پردازش، کاهش مصرف انرژی و عملکرد پایدارتر تراشه‌ها خواهد بود.

TSMC، یکی از رقبای اصلی سامسونگ، برنامه‌ریزی کرده بود که تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را در سال ۲۰۲۴ آغاز کند. اما سامسونگ با پیشی گرفتن از این شرکت تایوانی، اولین تولیدکننده‌ای است که تراشه‌های ۳ نانومتری را به‌صورت انبوه وارد بازار کرده است. این موفقیت می‌تواند موقعیت سامسونگ را در صنعت نیمه‌هادی‌ها تقویت کند و مشتریان بزرگی مانند AMD، NVIDIA و کوالکام را جذب کند.

به گفته تحلیل‌گران iفین‌تک، این تراشه‌ها در حوزه‌های مختلفی از جمله هوش مصنوعی، اینترنت اشیا (IoT)، خودروهای خودران و رایانش ابری کاربرد خواهند داشت. به دلیل بهینه‌سازی مصرف انرژی و افزایش کارایی، این فناوری می‌تواند در توسعه گوشی‌های هوشمند و مراکز داده نقش مهمی ایفا کند.

با وجود این پیشرفت، سامسونگ همچنان با چالش‌هایی در زمینه تولید انبوه این تراشه‌ها مواجه است. هزینه‌های بالای تولید، نیاز به تجهیزات پیشرفته‌تر و رقابت شدید در بازار نیمه‌هادی‌ها، از جمله موانعی هستند که این شرکت باید بر آن‌ها غلبه کند.

سامسونگ با آغاز تولید تراشه‌های ۳ نانومتری، گام بزرگی در صنعت نیمه‌هادی‌ها برداشته است. این پیشرفت می‌تواند موقعیت این شرکت را در برابر رقبای بزرگی همچون TSMC تقویت کند. فناوری GAA نویدبخش کاهش مصرف انرژی، افزایش عملکرد و بهبود پایداری پردازنده‌ها است. حال باید دید که این پیشرفت چگونه بر بازار پردازنده‌های پیشرفته تأثیر خواهد گذاشت.

برای مطالعه اخبار بیشتر درباره فناوری‌های جدید نیمه‌هادی و پردازنده‌های پیشرفته، به iفین‌تک مراجعه کنید.